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FIB雙束電鏡

FIB雙束電鏡

  • 訪問量:3279
  • 更新日期:2023-03-20
  • 產品介紹:新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡經過精心設計,可滿足材料科學研究人員和工程師對廣泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是有挑戰性的樣品。
  • 廠商性質:代理商

產品介紹

品牌FEI/賽默飛

新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡具有 Helios 5 產品系列高性能成像和分析性能。它經過精心設計,可滿足材料科學研究人員和工程師對廣泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是具有挑戰性的樣品。


Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡重新定義了高分辨率成像的標準:較高的材料對比度,快、簡單、準確的高質量樣品制備,用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描(APT)以及高質量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經考驗的性能基礎上,新一代的 Helios 5 DualBeam 進行了改進優化,所有這些都旨在確保系統處于手動或自動工作流程的運行狀態。


更易于使用:

Helios 5 是所有體驗級別用戶容易使用的 DualBeam。操作員培訓可以從幾個月縮短到幾天,系統設計可幫助所有操作員在各種高級應用程序上實現一致、可重復的結果。


提高了生產率:

Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的先進自動化功能,增強的穩健性和穩定性允許無人值守甚至夜間操作,顯著提高樣品制備通量。


改善時間和結果:
Helios 5 DualBeam 現在包括 FLASH,這是一種調整圖像的新概念。對于傳統的顯微鏡,每次操作員需要獲取圖像時,必須通過迭代對中仔細調整顯微鏡。使用 Helios 5 DualBeam,屏幕上的簡單手勢將激活 FLASH,將自動調整這些參數。自動調整可以顯著提高通量、數據質量并簡化高質量圖像的采集。


半導體行業技術參數:



Helios 5 CX

Helios 5 HP

Helios 5 UX

Helios 5 HX

Helios 5 FX


樣品制備與XHR掃描電鏡成像

終樣品制備(TEM薄片,APT)

STEM亞納米成像與樣品制備

SEM

著陸電壓

20ev-30kev

20ev-30kev

分辨率

0.6nm@15kev

1.0nm@1kev

0.6nm@2kev

0.7nm@1kev

1.0nm@500ev

STEM

分辨率@30kev

0.7nm

0.6nm

0.3nm

FIB制備過程

大材料去除束流

65nA

100nA

65nA

終優拋光電壓

2kv

500v

TEM樣品制備

樣品厚度

50nm

15nm

7nm

自動化

樣品處理

行程

110×110×65mm

110×110×65mm

150×150×10mm

100×100×20mm

100×100×20mm+5軸(S)TEMCompustage

負載鎖

手動

自動

手動

自動

自動+自動插入/提取STEM桿


材料科學行業技術參數:

 

 

Helios 5 CX

Helios 5 UX

離子光學

 

具有優越的高電流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒

具有優越的大電流和低電壓性能的Phoenix離子鏡筒

離子束電流范圍

1 pA – 100 nA

1 pA – 65 nA

加速電圧

500 V – 30 kV

500 V – 30 kV

大水平視場寬度

在光束重合點時為0.9 mm

在光束重合點時為0.7 mm

離子源壽命

1,000 hours

1,000 hours

 

兩級差動泵

兩級差動泵

飛行時間矯正

飛行時間矯正

15孔光闌

15孔光闌

電子光學

Elstar超高分辨率場發射鏡筒

Elstar超高分辨率場發射鏡筒

磁浸沒物鏡

磁浸沒物鏡

高穩定性肖特基場發射槍提供穩定的高分辨率分析電流

高穩定性肖特基場發射槍提供穩定的高分辨率分析電流

電子束分辨率

工作距離下

0.6 nm at 30 kV STEM

0.6 nm at 30 kV STEM

0.6 nm at 15 kV

0.7 nm at 1 kV

1.0 nm at 1 kV

1.0 nm at 500 V (ICD)

0.9 nm at 1 kV 減速模式*

 

在束流重合點

0.6 nm at 15 kV

0.6 nm at 15 kV

1.5 nm at 1 kV 減速模式* and DBS*

1.2 nm at 1 kV

電子束參數

電子束流范圍

0.8 pA to 176 nA

0.8 pA to 100 nA

加速電壓范圍

200 V – 30 kV

350 V – 30 kV

著陸電壓

20 eV – 30 keV

20 eV – 30 keV

大水平視場寬度

2.3 mm at 4 mm WD

2.3 mm at 4 mm WD

探測器

Elstar 鏡筒內 SE/BSE 探測器 (TLD-SE, TLD-BSE)

Elstar i鏡筒內SE/BSE 探測器 (ICD)*

Elstar 鏡筒內 BSE 探測器 (MD)*

樣品室內Everhart-Thornley SE 探測器 (ETD)

紅外相機

高性能離子轉換和電子探測器(SE)*

樣品室內樣品導航彩色光學相機Nav-Cam Camera*

可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態背散射探測器(DBS)*

可伸縮STEM 3+ 探測器*

電子束流測量

樣品臺和樣品

樣品臺

靈活五軸電動

壓電驅動XYR軸的高精度五軸電動工作臺

XY

110 mm

150 mm

Z

65 mm

10 mm

R

360° (連續)

360° (連續)

傾斜

-15° to +90°

-10° to +60°

大樣品高度

與優中心點間隔85mm

與優中心點間隔55mm

大樣品質量

樣品臺任意位置500 g

樣品臺任意位置500 g

0° 傾斜時大5kg

大樣品尺寸

直徑110 mm可沿樣品臺旋轉時

直徑150 mm可沿樣品臺旋轉時

 

優中心旋轉和傾斜

優中心旋轉和傾斜




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